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GSL-CKJS-450-B1磁控濺射

直接聯(lián)系

沈陽科晶自動化設(shè)備有限公司

遼寧

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價:

面議

關(guān)注度:

439

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品簡介:高真空濺射可用于金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多種新型薄膜材料的制備,且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點,可廣泛用于大專、科研院所的薄膜材料研究、制備。

產(chǎn)品型號

GSL-CKJS-450-B1磁控濺射

安裝條件

本設(shè)備要求在海拔1000m以下,溫度25±15,濕度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(加注純凈水或者去離子水)

2、電:AC380V 50Hz,必須有良好接地

3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注/氬氣(純度99.99%以上),需自備實驗氣體氣瓶(自帶?10mm雙卡套接頭)及減壓閥

4、場地設(shè)備尺寸3500×1600mm,承重1000kg以上

5、通風(fēng)裝置:需要

主要特點

1真空度高。

2、可制備多種薄膜,金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等,應(yīng)用廣泛。

3、體積小,操作簡便。

4、清理安裝便捷。

5、控制可選一體化觸摸屏控制

技術(shù)參數(shù)

1、主濺射室尺寸:?450×355mm筒形真空室

2主濺射室真空度5×10-5Pa

3、永磁靶3套,靶材尺寸φ2,各靶射頻與直流濺射兼容(其中1個靶可濺射鐵磁材料),靶與樣品距離90-110mm可調(diào)

4、三靶共濺,三個靶可共同折向樣品中心,距離40-80mm可調(diào)

5、基片加熱與水冷獨立工作,加熱爐可與水冷樣品臺可互換,加熱工位**溫度600℃±1℃

6、樣品尺寸:φ1

7樣品臺可連續(xù)回轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5-15轉(zhuǎn)/分

8、基片可加-200V負偏壓

9、公轉(zhuǎn)6工位樣品臺,可一次性安裝6片φ1基片,拆下水冷加熱樣品臺可換上6工位樣品臺,其中5個工位為自然冷卻工位,1個加熱工位,加熱工位溫度600℃±1℃

產(chǎn)品規(guī)格

整機尺寸:1500×900mm×2000mm;

標(biāo)準(zhǔn)配件

1

電源控制系統(tǒng)

1

2

真空獲得系統(tǒng)

1

3

真空測量裝置

1

產(chǎn)品咨詢

GSL-CKJS-450-B1磁控濺射

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