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納米結(jié)構低損傷刻蝕

由于等離子的能量分布低，從而能實現(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構刻蝕。

簡單高速率刻蝕

MEMS制造工藝中，Si材料光滑側(cè)壁的高速高選擇比刻蝕，可以很容易的通過室溫或低溫工藝實現(xiàn)。

內(nèi)置ICP等離子源

平板三螺旋天線(PTSA)等離子源是SENTECH獨有的高端等離子工藝系統(tǒng)。PTSA能產(chǎn)生高密度低能量分布的等離子體。在多種材料刻蝕工藝中都能實現(xiàn)高效率耦合及穩(wěn)定起輝 。動態(tài)溫控

襯底溫度設定和工藝過程中的穩(wěn)定性是影響刻蝕工藝質(zhì)量的重要因素。ICP襯底電極結(jié)合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進行動態(tài)溫控，工藝溫度范圍為-150°C 至 +400°C:

SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能的刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級別的自動化裝置，從預真空系統(tǒng)到**6端口的多工藝腔室裝置。5I500可以作為多腔室工藝模塊。