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產(chǎn)品概述

經(jīng)過PVT方法，生長出優(yōu)質(zhì)的導(dǎo)電型碳化硅晶胚。晶胚經(jīng)過滾外圓、磨端面、加工定位邊等一系列工序，加工成高質(zhì)量碳化硅單晶晶體。單晶晶體是加工制作單晶襯底的重要原料，客戶通過切磨拋等加工工藝和清洗工藝，可獲得低缺陷密度的碳化硅單晶襯底產(chǎn)品。

下游產(chǎn)品與應(yīng)用

碳化硅襯底材料經(jīng)過同質(zhì)外延生長、晶圓制造、封裝檢測等環(huán)節(jié)，制成碳化硅二極管、碳化硅MOSFET等功率器件，適用于高溫、高壓、大電流等工作環(huán)境，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、光伏風(fēng)電、儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)電源、工業(yè)驅(qū)動、白色家電等領(lǐng)域。