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技術(shù)成果

小于le14cm-3的低本底濃度控制技術(shù)

小于3%的厚度均勻性控制技術(shù)

小于6%的濃度均勻性控制技術(shù)

低的位錯(cuò)控制技術(shù)，BPD轉(zhuǎn)化效率達(dá)99%以上

低的表面缺陷控制技術(shù)，表面缺陷密度小于0.2個(gè)/cm2

產(chǎn)品概述

利用碳化硅外延設(shè)備在自產(chǎn)碳化硅襯底上生長(zhǎng)一層高質(zhì)量的碳化硅單晶薄膜，制成碳化硅外延片。碳化硅外延片經(jīng)過(guò)晶圓制造、封裝檢測(cè)等環(huán)節(jié)，可制成碳化硅功率器件。

下游產(chǎn)品與應(yīng)用

碳化硅外延片經(jīng)過(guò)晶圓制造、封裝檢測(cè)等環(huán)節(jié)，制成碳化硅二極管、碳化硅MOSFET等功率器件，適用于高溫、高壓、大電流等工作環(huán)境，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、充電樁、光伏風(fēng)電、儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、白色家電等領(lǐng)域。