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電學(xué)性能 electronic characters

導(dǎo)電類型（type）

P型 (B dopant)

電阻率（resistivity）（Ω·cm）

1.0～3.0

硅錠的少子壽命(minimum lifetime of bricks)（μs）

≥5（average）

氧含量(oxygen)（ppma）

≤10

碳含量(carbon)（ppma）

≤16

晶體結(jié)構(gòu) crystal structure

微晶(micro-grains)

無（no）

表面質(zhì)量 appearance

硅落、缺口、裂紋、沾污、針孔（chips,V-shape, crack, stain, pinhole）

無（Not allow）

崩邊(edge chips)（mm）

L≤ 0.5,W≤ 0.3,no more than 2/wafer

線痕（μm） (saw marks)

≤15

彎曲度/翹曲度(bow/warp)（μm ）

≤50

尺寸 dimension

邊長(side length)（mm）

156.75±0.25

厚度(center thickness) （μm）

200

180

TV（μm）

200

±20

180

±15

TTV（μm）

200

≤30

180

≤25

垂直度（verticality ）

90 o±0.3o

包裝與儲運 package and carriage

包裝(package)

1盒400片；1箱1600片；1托48000片。

400pcs/box，1600pcs/case，48Kpcs/pallet

儲存（Storage）

溫度（temperature.）：10℃～40℃

濕度（humidity）：≤70%

A（Length）

B（Diagonal length）

C（Bevel edge width）

Max.

Min.

Max.

Min.

Max.

Min.

156.75P

157

156.5

221.5

219.3

2

0.5

注：1.硅片的規(guī)格與電池片規(guī)格相對應(yīng)；

2.A、B、C分別參見圖1。

Notice: 1.The dimension of wafer is related to the cell

2.A、B、C refer to Fig. 1

圖1 多晶硅片尺寸示意圖

Fig1 Sketch map of multi-Si wafer