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LPCVD用于淀積Poly-Si、SIPOS、SiO2(LTOTEOS)、P*Poly-Si、N*Poly-Si、SiN(LSSiN)、PSG、BSG、BPSG等多種薄膜。廣泛應用于半導體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。

設備主要特點

◎ 采用先進的閉環(huán)控制系統(tǒng)，壓力穩(wěn)定無波動

◎ 高精度溫控系統(tǒng)

◎ 工藝薄膜均勻性優(yōu)異

★支持SECS/GEM通訊

主要技術(shù)指標

◎ 適用硅片尺寸:4~6"

◎ 工作溫度范圍:350℃~800℃

◎ 恒溫長度:300-1100mm(可定制)

◎ 系統(tǒng)極限真空度: 10mtorr

◎ 工作壓力范圍:100~400mtorr可調(diào)

工藝類型

◎ Poly

◎ D-Poly(P+/N+)

◎SIPOS

◎BPSG

◎ SiO2 (LTO TEOS )

◎ 工藝均勻性:

◎SiN(LSSiN)

片內(nèi)≤±2% 片間≤±2% 批間≤±2%