粉體行業(yè)在線展覽
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氧化鎵垂直布里奇曼晶體生長(zhǎng)爐
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山東晶升電子科技有限公司
山東
面議
晶升電子
氧化鎵垂直布里奇曼晶體生長(zhǎng)爐
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簡(jiǎn)介 ： 1.溫度范圍：100-1850℃。 2.進(jìn)口發(fā)熱體，工作溫度精確度達(dá)±0.5℃。 3.坩堝具有旋轉(zhuǎn)功能，可根據(jù)需要設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度和方向。 4.設(shè)備可用于2-4英寸單晶生長(zhǎng)需求，可根據(jù)客戶需求定制化所需其它功能。 5.氮化鎵高壓助熔劑晶體生長(zhǎng)設(shè)備：
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氧化鎵垂直布里奇曼晶體生長(zhǎng)爐
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JRF 系列
略
VSF-V 石英槽沉爐
HBOX-1200
氮化鋁粉體量產(chǎn)爐
厚膜燒結(jié)爐
碳化硅涂層CVD爐
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燒結(jié)爐（硬質(zhì)合金）
FZL(T)-360/17
YSJ-171212
