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氮化鎵高壓助熔劑晶體生長(zhǎng)設(shè)備

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山東晶升電子科技有限公司

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氮化鎵高壓助熔劑晶體生長(zhǎng)設(shè)備

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簡(jiǎn)介： 1.Na助溶劑液相外延生長(zhǎng)2-4 英寸GaN晶片，也可用于高壓助熔劑法探索新型氮化物晶體。 2.助熔劑法（Na FLUX METHOD）生長(zhǎng)氮化鎵（GaN）單晶具有諸多優(yōu)勢(shì)是目前國(guó)際上公認(rèn)的可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、大尺寸氮化鎵體單晶產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的生長(zhǎng)技術(shù)之一。 3.雙溫區(qū)加熱，**使用溫度1000°C，**壓力9 Mpa。 4.氮?dú)馊芙馑俣瓤?，分布均勻，生長(zhǎng)速度可達(dá)30 微米/小時(shí)。 5.可外延生長(zhǎng)

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