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ES0S3是針對(duì)科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測(cè)量領(lǐng)域推出的波長(zhǎng)掃描式高精度多入射角光譜橢偏儀，此系列儀器的波長(zhǎng)范圍覆蓋紫外、可見(jiàn)、近紅外、到遠(yuǎn)紅外。

ESS03采用寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測(cè)量。

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測(cè)量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，膜層厚度、表面微粗糙度等）和光學(xué)參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k、復(fù)介電常數(shù)ε等），也可用于測(cè)量塊狀材料的光學(xué)參數(shù)。

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。

技術(shù)特點(diǎn)：

• 極寬的光譜范圍

  采用寬光譜光源、寬光譜掃描德系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)，保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準(zhǔn)確度，非常適合于對(duì)光譜范圍要求極其嚴(yán)格的場(chǎng)合。

• 靈活的測(cè)量設(shè)置

  儀器的多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)可根據(jù)要求而設(shè)定（包括：波長(zhǎng)范圍、掃描步距、入射角度等），極大地提高了測(cè)量的靈活性，可以勝任要求苛刻的樣品。

• 原子層量級(jí)的檢測(cè)靈敏度

  國(guó)際先進(jìn)的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量原子層量級(jí)地納米薄膜，膜厚精度達(dá)到0.05nm。

• 非常經(jīng)濟(jì)的技術(shù)方案

  采用較經(jīng)濟(jì)的寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測(cè)量，儀器整體成本得到有效降低。

應(yīng)用領(lǐng)域：

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。

ESS03適合很大范圍的材料種類(lèi)，包括對(duì)介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測(cè)，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體地臨界點(diǎn)，這對(duì)于測(cè)量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級(jí)到10微米左右）。

ESS03可用于測(cè)量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。

薄膜相關(guān)應(yīng)用涉及物理、化學(xué)、信息、環(huán)保等，典型應(yīng)用如：

• 半導(dǎo)體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
• 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
• 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類(lèi)、Al2O3表面鍍層和處理等；
• 生物和化學(xué)工程：有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
• 節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域：LOW-E玻璃等。

ESS03系列也可用于測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：

• 玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。

技術(shù)指標(biāo)：

項(xiàng)目	技術(shù)指標(biāo)
光譜范圍	ESS03VI：370-1700nm ESS03UI：245-1700nm
光譜分辨率（nm）	可設(shè)置
入射角度	40°-90°手動(dòng)調(diào)節(jié)，步距5，重復(fù)性0.02
準(zhǔn)確度	δ(Psi): 0.02 ° ，δ(Delta): 0.04° （透射模式測(cè)空氣時(shí)）
膜厚測(cè)量重復(fù)性（1）	0.05nm (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率n測(cè)量重復(fù)性（1）	0.001 (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
單次測(cè)量時(shí)間	典型0.6s / Wavelength / Point（取決于測(cè)量模式）
光學(xué)結(jié)構(gòu)	PSCA（Δ在0°或180°附近時(shí)也具有極高的準(zhǔn)確度）
可測(cè)量樣品**尺寸	直徑200 mm
樣品方位調(diào)整	高度調(diào)節(jié)范圍：10mm
	二維俯仰調(diào)節(jié)：±4°
樣品對(duì)準(zhǔn)	光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
軟件	•多語(yǔ)言界面切換
	•預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用
	•安全的權(quán)限管理模式（管理員、操作員）
	•方便的材料數(shù)據(jù)庫(kù)以及多種色散模型庫(kù)
	•豐富的模型數(shù)據(jù)庫(kù)
選配件	自動(dòng)掃描樣品臺(tái) 聚焦透鏡