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583
EMPro-PV是針對(duì)光伏太陽(yáng)能電池高端研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的**型多入射角激光橢偏儀。
EMPro-PV用于測(cè)量絨面單晶硅或多晶硅太陽(yáng)電池表面減反膜鍍層的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可測(cè)量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度,以及在632.8nm下折射率n和消光系數(shù)k。
EMPro-PV融合多項(xiàng)量拓科技**技術(shù),采用一體化樣品臺(tái)技術(shù),兼容測(cè)量單晶和多晶太陽(yáng)電池樣品,并實(shí)現(xiàn)二者的輕松轉(zhuǎn)換。一鍵式多線程操作軟件,使得儀器操作簡(jiǎn)單安全。
EMPro-PV也可用于測(cè)量光滑平面基底上鍍的納米單層膜或雙層膜,包括膜層的厚度,以及在632.8nm下的折射率n和消光系數(shù)k。也可用于測(cè)量塊狀材料(包括,液體、金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等)在632.8nm下的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體、微電子、平板顯示等。
項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
儀器型號(hào) | EMPro-PV |
版本號(hào) | 31 |
激光波長(zhǎng) | 632.8nm (He-Ne Laser) |
膜厚測(cè)量重復(fù)性(1) | 0.01nm (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
0.03nm (對(duì)于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
折射率精度(1) | 1x10-4 (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
3x10-4 (對(duì)于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
單次測(cè)量時(shí)間 | 與測(cè)量設(shè)置相關(guān),典型0.6s |
結(jié)構(gòu) | PSCA(Δ在0°或180°附近時(shí)也具有極高的準(zhǔn)確度) |
激光光束直徑 | 1mm |
入射角度 | 40°-90°可手動(dòng)調(diào)節(jié),步進(jìn)5° |
樣品方位調(diào)整 | 一體化樣品臺(tái)輕松變換可測(cè)量單晶或多晶樣品; |
可測(cè)量156*156mm電池樣品上每個(gè)點(diǎn) | |
Z軸高度調(diào)節(jié):±6.5mm | |
二維俯仰調(diào)節(jié):±4° | |
樣品對(duì)準(zhǔn):光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) | |
樣品臺(tái)尺寸 | 平面樣品直徑可達(dá)Φ170mm |
兼容125*125mm和156*156mm的太陽(yáng)能電池樣品 | |
**的膜層測(cè)量范圍 | 粗糙表面樣品:與絨面物理結(jié)構(gòu)及材料性質(zhì)相關(guān) |
光滑平面樣品:透明薄膜可達(dá)4000nm,吸收薄膜與材料性質(zhì)相關(guān) | |
**外形尺寸(長(zhǎng)x寬x高) | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時(shí)) |
儀器重量(凈重) | 25Kg |
選配件 | 水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺(tái) |
真空吸附泵 | |
軟件 | ETEM軟件: |
l 中英文界面可選 | |
l 太陽(yáng)能電池樣品預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用 | |
l 單角度測(cè)量/多角度測(cè)量操作和數(shù)據(jù)擬合 | |
l 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出 | |
l 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫(kù)支持 |
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