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CM-011
100-150萬(wàn)元
超邁光電
CM-011
316
●該設(shè)備用于納米級(jí)單層或多層膜、類(lèi)金剛石薄膜、金屬膜、導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜和非導(dǎo)電膜等功能薄膜的制備,可實(shí)現(xiàn)共濺射,直流、射頻兼容,適于科研院所和企業(yè)進(jìn)行功能薄膜研發(fā)、教學(xué)和新產(chǎn)品開(kāi)發(fā),同時(shí)可在微米級(jí)粉末或顆粒上沉積薄膜進(jìn)而達(dá)到表面改性的功能。建議選用公Research系列磁控濺射平臺(tái)。
●主體結(jié)構(gòu):全封閉框架結(jié)構(gòu),機(jī)柜和主機(jī)為分體式機(jī)構(gòu)。
●極限真空度:≤6.63×10-5Pa,壓升率優(yōu)于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。
●真空配置:高速直聯(lián)旋片泵一臺(tái),配置尾氣處理裝置,超高分子泵一臺(tái)。
●真空測(cè)量:兩路電阻規(guī),一路電離規(guī);電阻規(guī)和電離規(guī)均采用防爆型金屬封結(jié)真空規(guī)。
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