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ALD原子層沉積設(shè)備-SVT

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美國SVTA公司中國辦事處

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面議

關(guān)注度:

604

產(chǎn)品介紹

美國SVT公司ALD原子層沉積系統(tǒng)

自1990年來薄膜淀積設(shè)備**制造商。

擁有獨(dú)立的室內(nèi)實驗室用于材料研究和工藝開發(fā)。

提供廣泛的服務(wù),包括淀積設(shè)備、淀積部件、集成傳感器以及工藝控制

設(shè)備制造和工藝技術(shù)的高度結(jié)合,為客戶提供可靠的技術(shù)服務(wù)

實驗室7臺應(yīng)用淀積設(shè)備生長出***的材料

多條設(shè)備生產(chǎn)線幾乎覆蓋了整個薄膜淀積設(shè)備市場

在薄膜淀積領(lǐng)域擁有超過120臺設(shè)備的**供應(yīng)商。

NorthStar ALD系統(tǒng)介紹:

NorthStar ALD原子層沉積系統(tǒng)提供各種淀積方法,包括熱淀積以及能量增強(qiáng)淀積。

每臺設(shè)備可以提供多達(dá)8個先驅(qū)源管路以及一個熱壁淀積腔,使其應(yīng)用范圍極為廣泛。

設(shè)備的快速艙口蓋或裝載室(可選件)使樣品操作快捷方便。

NorthStar ALD系統(tǒng)不但能跟其他設(shè)備連接起來,還能連接多種測量儀器。

原位測量工具以及RoboALD軟件自動化系統(tǒng)提高了工藝的再現(xiàn)性。

可以直接升級至超高真空

提供工藝演示以及工藝培訓(xùn)服務(wù)

為潛在客戶提供免費(fèi)樣品測試。

應(yīng)用領(lǐng)域:

High-K電介質(zhì)

納米涂層

MEMS

光子晶體

擴(kuò)散阻擋層

器件封裝

表面改性層

技術(shù)參數(shù):

為科研客戶量身打造***的原子層沉積系統(tǒng)。

提供4"、6"、8"、12"等多種尺寸的樣品平臺。

針對客戶的需求,提供多種輸氣設(shè)計。

---可控真空度: 1 Torr to UHV

---氣道加熱

---氣體快速進(jìn)出

---樣品尺寸: 4in standard, optional 12in

---基底加熱: up to 300 ℃, optional higher temp

主要特點(diǎn):

*安全的設(shè)計,多樣化的配置,全方位的測試手段。

精確的控制手段打造**的成膜質(zhì)量。強(qiáng)大的科研團(tuán)隊鑄就**的科技實力。

---氣體離子化

---臭氧輸送裝置

---石英振蕩器

---四重質(zhì)量分光計

---實時溫度顯示

---橢偏儀

---進(jìn)樣室

產(chǎn)品咨詢

ALD原子層沉積設(shè)備-SVT

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