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設(shè)備特點(diǎn)

●溫度控制采用串級(jí)控制方式，對(duì)基片實(shí)際溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)智能控制。

●裝載采用SiC懸臂槳，避免了與工藝管磨擦產(chǎn)生粉塵。

●反應(yīng)氣體分子送氣和族射送氣，避免氣相反應(yīng)產(chǎn)生粉塵和改善均勻性。

●工作壓力閉環(huán)自動(dòng)控制，提高工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性。

技術(shù)指標(biāo)

●基片尺寸：4,6,8英寸圓片

●工作溫度：500～900℃

●工藝管路：1～3管

●恒溫區(qū)長(zhǎng)度：400mm~800mm

●控溫精度：±0.5℃

●極限真空度：<1Pa

●膜厚均勻性：Si3N4：±3%； Poly-Si：±4%； TEOS-SiO2：±3%

應(yīng)用范圍

　　用于半導(dǎo)體器件、電力電子器件、光電子等行業(yè)氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制備