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    立式爐主要適用于6"、8"、12"晶圓的氧化、合金、退火等工藝。
        氧化是在中高溫下通入特定氣體（O2/H2/DCE），在硅片表面發(fā)生氧化反應(yīng)，生成二氧化硅薄膜的一種工藝。生成的二氧化硅薄膜可以作為集成電路器件前道的緩沖介質(zhì)層和柵氧化層等。
        退火是在中低溫條件下，通入惰性氣體（N2），消除硅片界面處晶格缺陷和晶格損傷，優(yōu)化硅片界面質(zhì)量的一種工藝。

應(yīng)用領(lǐng)域：

用于IC集成電路、MEMS、電力電子器件、光電子器件等領(lǐng)域。