粉體行業(yè)在線展覽
腔體合成爐
面議
中科漢達(dá)
腔體合成爐
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適用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶體生長(zhǎng),采用中頻感應(yīng)電源加熱方式,上取放料、坩堝軸快慢速移動(dòng)。
技術(shù)參數(shù) | |
生長(zhǎng)工藝 | PVT |
生長(zhǎng)尺寸 | 6-8英寸 |
產(chǎn)品類型 | 非標(biāo)定制 |
加熱方式 | 感應(yīng)加熱(中頻感應(yīng)加熱) |
**溫度 | 2400℃ |
系統(tǒng)停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度 | ≤5Pa |
控制方式 | PLC集成控制 |
系統(tǒng)極限真空度 | ≤7×10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后) |
系統(tǒng)真空檢漏漏率 | ≤5.0×10-7 Pa.l/S |
冷卻方式 | 循環(huán)水路系統(tǒng) |
適用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶體生長(zhǎng),采用中頻感應(yīng)電源加熱方式,上取放料、坩堝軸快慢速移動(dòng)。內(nèi)壁氬弧焊接,內(nèi)表面鏡面拋光,反射熱量,減少功率損耗,減少氣體附著。自主研發(fā)控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化穩(wěn)定、安全、操作便捷。適用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶體生長(zhǎng),采用中頻感應(yīng)電源加熱方式,上取放料、坩堝軸快慢速移動(dòng)。內(nèi)壁氬弧焊接,內(nèi)表面鏡面拋光,反射熱量,減少功率損耗,減少氣體附著。自主研發(fā)控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化穩(wěn)定、安全、操作便捷。
略
VSF-V 石英槽沉爐
HBOX-1200
氮化鋁粉體量產(chǎn)爐
厚膜燒結(jié)爐
蓄熱式熱力氧化RTO
燒結(jié)爐(硬質(zhì)合金)
YSJ-171212
JRF 系列
GZZ系列
鋼帶傳動(dòng)隧道式電阻爐