粉體行業(yè)在線展覽
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YS-E08S01
直接聯(lián)系
廣州粵升半導(dǎo)體設(shè)備有限公司.
廣州
面議
YS-E08S01
98
粵升設(shè)備自主研發(fā)的SiC外延爐，外延爐已獲得多家外延生長(zhǎng)廠家批量訂單，生長(zhǎng)的SiC外延片質(zhì)量達(dá)到國(guó)際**水平，滿足SBD和MOSFET器件的制備要求。
設(shè)備名稱:SiC外延爐
設(shè)備型號(hào):YS-E08S01
設(shè)備功能:CVD法生長(zhǎng)SiC同質(zhì)外延
襯底尺寸:6吋兼容8吋
片內(nèi)厚度不均勻性:<2%片內(nèi)摻雜濃度不均勻性:<5%形貌缺陷密度:<1個(gè)/平方c㎡
·具備n、p型及高速率的外延生長(zhǎng)能力
·RUN TO RUN性能優(yōu)異
高均勻性、低缺陷的SiC外延質(zhì)量
，供液一體化系統(tǒng)，
產(chǎn)品咨詢
YS-E08S01
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