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熱絲CVD

熱絲CVD

直接聯(lián)系

江西漢可泛半導體技術有限公司

江西

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價:

面議

品牌:

江西漢可

型號:

熱絲CVD

關注度:

416

產(chǎn)品介紹

熱絲CVD,又名催化化學氣相沉積。其英文名稱有:Catalytic-CVD(Cat-CVD),Hot-wire CVD(HWCVD),Hot Filament CVD(HoFCVD)。其鍍膜的基本原理如圖1(a)所示:在一個真空腔體中有一些直流電加熱的特種金屬絲,加熱絲的溫度維持在一定溫度(1700-2000℃,或者其它溫度范圍,根據(jù)鍍膜的材料特性要求調節(jié));通入反應氣體(SiH4、H2等);反應氣體與高溫金屬絲碰撞,發(fā)生催化裂解,生成多種具有強烈活性的“不帶電”的基團(Si、H、SixHy等);這些活性基團從熱絲表面隨機向四周發(fā)射;“落到”襯底上(如加熱到200℃左右的硅片);在襯底表面反應生成薄膜。

 

 江西漢可泛半導體技術有限公司

目前已經(jīng)獲得較好性能的應用如下表所示:

行業(yè)

具體應用實例

結果

產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀

集成電路

1) 用于超小型MOS晶體管的柵側壁和絕緣體.

1) 由于SiNx中H含量較低,MOS晶體管的壽命延長了2個數(shù)量級。

尚未實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)

化合物半導體器件

1) GaN、GaAs等超高頻晶體管的鈍化.

1) 通過減少鈍化層以下的表面損傷來提高GaN或GaAs晶體管的截止頻率和可用功率。

1) 和 2) 都實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應用.

2) 用于光通信的激光器鈍化

2) 通過減少損傷增加能量和壽命

顯示器

1) a-Si TFT (非晶硅薄膜晶體管),

1) 具有較大的開關比,可實現(xiàn)低關斷電流和高穩(wěn)定性。

1) 尚未產(chǎn)業(yè)化

2) 沉積態(tài)的薄膜晶體管.

2) 遷移率超過40cm2/Vs。

2) 尚未產(chǎn)業(yè)化

3)有機電致發(fā)光器件上的氣體阻擋膜.

3) OLED壽命超過15,000小時。

3) 尚未產(chǎn)業(yè)化

4) 復印機用感光鼓

4) 氣體利用效率高,高速沉積。

4) 小規(guī)模生產(chǎn)

太陽電池

1) 薄膜太陽能電池.

1) HWCVD的沉積速率快,氣體利用率比PECVD高一個量級.

1) 尚未產(chǎn)業(yè)化

2) 晶體硅太陽電池中的鈍化層和減反射層.

2) 用HWCVD鍍的膜具有極低的表面復合速率 velocity <0.2 cm/s .

2) 尚未產(chǎn)業(yè)化

3) 非晶硅/晶體硅異質結太陽電池

3) 無等離子體損傷、氣體利用率高

3) 大規(guī)模批量生產(chǎn)

機械工程

1) 汽車用鍍金屬鍍層的替代涂裝方法。

1) 混合動力轎車采用HWCVD鍍膜后,鍍層壽命比傳統(tǒng)鍍金屬提高1個數(shù)量級。

1) 技術開發(fā)中

2) 在剃須刀上涂上涂層。

2)在不犧牲銳度的情況下,制造出低摩擦表面。

2) 高檔剃須刀已產(chǎn)業(yè)化

其他應用

1) 去除光刻膠。

1) 用HWCVD法去除經(jīng)高劑量離子注入后的光刻膠,且不會有任何殘留。

1) 相關設備已制造。

2) 表面清潔。

2) 清潔遠紫外光刻的反射鏡表面

2) 在遠紫外光刻設備中應用.

3) 改善噴墨或絲網(wǎng)印刷金屬線的電阻率。

3) 用HWCVD進行氫處理可以在室溫下形成低電阻率的Cu或Ag金屬線。

3)產(chǎn)業(yè)化推進中

4) HWCVD法實現(xiàn)在c-Si中的低溫P或B摻雜

4) 通過熱絲裂解PH3B2H6,可以在80℃條件下將P或B原子摻雜到c-Si中。

4)研究起步


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