粉體行業(yè)在線展覽
LPCVD設(shè)備
面議
鵬城半導(dǎo)體
LPCVD設(shè)備
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小型管式LPCVD設(shè)備簡(jiǎn)介
LPCVD設(shè)備(化學(xué)氣相沉積CVD)是在低壓高溫的條件下,通過(guò)化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)??捎糜诳茖W(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
1、小型化,方便實(shí)驗(yàn)室操作和使用,大幅降低實(shí)驗(yàn)成本
兩種基片尺寸2英寸或4英寸;每次裝片1~3片。
基片放置方式:配置三種基片托架,豎直、水平臥式、帶傾角。
基片形狀類型:不規(guī)則形狀的散片、φ2~4英寸標(biāo)準(zhǔn)基片。
2、設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)
由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。
反應(yīng)室由高純石英制成,耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了先進(jìn)的檢測(cè)和控制系統(tǒng),量值準(zhǔn)確,性能穩(wěn)定、可靠。
化合物半導(dǎo)體
金剛石散熱晶圓片
MOCVD設(shè)備
LPCVD設(shè)備
PECVD設(shè)備
金剛石薄膜制備設(shè)備
團(tuán)簇式OLED真空蒸鍍工藝裝備
分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備(MBE)
高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)
高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)
高真空磁控濺射儀
LHTG/LHTM/LHTW
Empyrean
V-Sorb4800-金埃譜
EMIA-820V
Hydrolink
Autoflex R837
3H-2000A
SQL810C/1010C
UNI800B
電磁波波譜濃度儀
BI-ZTU