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晶圓廠**具有自動(dòng)缺陷檢測(cè)的原子力顯微鏡

全自動(dòng)AFM解決了缺陷成像和分析問(wèn)題，提高缺陷檢測(cè)生產(chǎn)率達(dá)1000%。

帕克的智能ADR技術(shù)提供全自動(dòng)的缺陷檢測(cè)和識(shí)別，使得關(guān)鍵的在線過(guò)程能夠通過(guò)高分辨率3D成像對(duì)缺陷類(lèi)型進(jìn)行分類(lèi)并找出它們的來(lái)源。
智能ADR專(zhuān)門(mén)為半導(dǎo)體工業(yè)設(shè)計(jì)提供***的缺陷檢測(cè)解決方案，具有自動(dòng)目標(biāo)定位，且不需要經(jīng)常損壞樣品的密集參考標(biāo)記。與傳統(tǒng)的缺陷檢測(cè)方法相比，智能ADR過(guò)程提高了1000%的生產(chǎn)率。此外，帕克具有創(chuàng)新性的True-Contact?模式AFM技術(shù)，使得新的ADR有能力提供高達(dá)20倍的更長(zhǎng)的探針壽命。

用于精確、高吞吐量CMP輪廓測(cè)量的低噪聲原子力輪廓儀

工業(yè)**的低噪聲Park原子力顯微鏡（AFM）與長(zhǎng)距離滑動(dòng)臺(tái)相結(jié)合，成為用于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）計(jì)量的原子力輪廓儀（AFP）。新的低噪聲AFP為局部和全面均勻性測(cè)量提供了非常平坦的輪廓掃描，具有**的輪廓掃描精度和市場(chǎng)可重復(fù)性。這保證了在寬范圍的輪廓量程上沒(méi)有非線性或高噪聲背景去除的精確高度測(cè)量。

超高精度和*小化探針針尖變量的亞埃級(jí)表面粗糙度測(cè)量

晶圓的表面粗糙度對(duì)于確定半導(dǎo)體器件的性能是至關(guān)重要的。對(duì)于***的元件制造商，芯片制造商和晶圓供應(yīng)商都要求對(duì)晶圓上超平坦表面進(jìn)行更精確的粗糙度控制。通過(guò)提供低于 0.5 ?的業(yè)界*低噪聲，并將其與真正的非接觸式模式相結(jié)合，Park NX-Wafer能夠可靠地獲得具有*小針尖變量的的亞埃級(jí)粗糙度測(cè)量。Park的串?dāng)_消除還允許非常平坦的正交XY掃描，不會(huì)有背景曲率，即使在*平坦的表面上，也不需過(guò)多考慮掃描位置、速率和大小。這使得其非常精確和可重復(fù)地對(duì)微米級(jí)粗糙度到長(zhǎng)范圍不平整表面進(jìn)行測(cè)量。

生產(chǎn)率滿(mǎn)足精度要求

自動(dòng)換針 (ATX)

ATX通過(guò)圖案識(shí)別自動(dòng)定位針尖，并使用一種新穎的磁性方法使用過(guò)的探針脫離并拾取新的探針。然后通過(guò)電動(dòng)定位技術(shù)自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)激光光斑。.

用于更穩(wěn)定掃描環(huán)境的離子化系統(tǒng)

我們創(chuàng)新的離子化系統(tǒng)快速有效地去除了樣品環(huán)境中的靜電電荷。由于該系統(tǒng)總是產(chǎn)生并維持正負(fù)離子的理想平衡，因此它能夠在樣品處理期間產(chǎn)生極其穩(wěn)定的電荷環(huán)境，且對(duì)周?chē)鷧^(qū)域幾乎沒(méi)有污染，可將意外靜電電荷的風(fēng)險(xiǎn)*小化。

總動(dòng)晶圓裝卸器 (EFEM or FOUP)

NX-Wafer可配置各種自動(dòng)晶圓裝卸器(Cassette 或 FOUP 或其他)。高精度、非破壞性的晶圓裝卸器的機(jī)器人臂充分確保用戶(hù)始終獲得快速可靠的晶圓測(cè)量。