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 碳化硅二極管和碳化硅 MOSFET芯片目前已有產(chǎn)品650V、900V、1200V和1700V等各種規(guī)格及客需化定制。隨著**代硅半導(dǎo)體及第二代砷化鎵半導(dǎo)體材料發(fā)展的成熟，其器件應(yīng)也趨于極限。現(xiàn)代科技越來越多的領(lǐng)域需要工作頻率高，功率密度高，耐高溫，化學(xué)穩(wěn)定性好以及可以在強(qiáng)輻射環(huán)境中工作的材料，因此第三代半導(dǎo)體(即寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度大于2.2eV)受到了人們的極大關(guān)注，這些材料包括SiC，GaN,金剛石等。