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全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料及器件正處于快速發(fā)展期，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G通信、軌道交通、新能源汽車及充電樁、新能源、儲(chǔ)能、大數(shù)據(jù)中心、工控等下游領(lǐng)域。其中，半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于5G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、導(dǎo)引頭、衛(wèi)星通信、戰(zhàn)機(jī)等領(lǐng)域，具有提升射頻范圍、超遠(yuǎn)距離識(shí)別、抗干擾以及高速、大容量信息傳遞等應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，被視為制作微波功率器件*理想的襯底。以半絕緣型碳化硅襯底為基礎(chǔ)制備的射頻器件具有與硅基器件相比具有更高的工作頻率和功率密度等特點(diǎn)，因此隨著通信技術(shù)的迭代，具有明確而廣泛的應(yīng)用前景。