粉體行業(yè)在線展覽
4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底
面議
華創(chuàng)晶瑞
4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底
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產(chǎn)品介紹
利用液相法生長的P型碳化硅襯底具有低電阻、高摻雜濃度、高品質(zhì)等優(yōu)勢,能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求
主要指標
晶型:4H/6H-P型
尺寸:99.5~100 mm 145.5-150.0mm
厚度:350±25 μm
微管密度:<0.1 cm-2
電阻率:0.06~0.11 Ω?cm
表面粗糙度:Ra<0.2nm
4英寸導電型碳化硅襯底
6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底
碳化硅晶錠晶棒
8英寸導電型碳化硅襯底
2英寸導電型碳化硅襯底
4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底
4~8英寸碳化硅外延
氮化鎵襯底 外延
4英寸3C N型碳化硅襯底
7N 碳化硅粉料
碳化硅MOS SBD晶圓
2~6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底