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>8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底

8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底

8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底

直接聯(lián)系

杭州華創(chuàng)晶瑞科技有限公司

浙江

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價：

面議

品牌：

華創(chuàng)晶瑞

型號：

8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底

關(guān)注度：

100

產(chǎn)品介紹

技術(shù)優(yōu)勢

   晶體利用率高，成本低  品質(zhì)達到P-MOS級

   采用PVT長晶法

   籽晶粘結(jié)成功率接近100% 

   平均生長速度0.13-0.16mm/h 

   長晶良率高于行業(yè)水平

   加工良率達到90%

   有效的降低了單片成本。

   SiC 晶錠一致性非常優(yōu)秀  

   晶片表面粗糙度0.075納米

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產(chǎn)品咨詢

8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底

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杭州華創(chuàng)晶瑞科技有限公司

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