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液相法襯底產(chǎn)品介紹

         3C N型SiC具有更高的電子遷移率（3C-SiC，1100 cm2/V?s；4H-SiC，900 cm2/V?s），同時由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度，可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性，能大幅度提高器件產(chǎn)品良率。

主要指標(biāo)

晶型：3C    

 尺寸：50.8±0.38 mm   2英寸、4英寸、6英寸

非標(biāo)尺寸：10*10mm,20*20mm,其它按需定制。           

厚度：350±25μm   

微管密度：＜0.1 cm-2

電阻率≤0.0006 Ω?cm