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單片式濕法清洗設(shè)備 Ultron S200/S300
面議
佳鼎半導(dǎo)體
單片式濕法清洗設(shè)備 Ultron S200/S300
535
隨著半導(dǎo)體芯片工藝技術(shù)的發(fā)展,工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入28納米以及14nm等更先進(jìn)等級(jí),隨著工藝流程的延長(zhǎng)以及越趨復(fù)雜,每個(gè)晶片在整個(gè)制造過(guò)程中需要超過(guò)200道清洗步驟, 晶圓清洗變得更加復(fù)雜、重要以及富有挑戰(zhàn)性; 清洗設(shè)備以及工藝也必須推陳出新,使用新的戶(hù)物理及化學(xué)原理,在滿(mǎn)足使用者的工藝需求條件下,也兼顧降低晶圓清洗成本和兼顧環(huán)境保護(hù);
減少材料損傷(material loss);
孔洞的清洗能力;
防止晶片結(jié)構(gòu)損傷(pattern damage);
金屬、材料及微粒子的交叉污染 ;
晶圓可靠性改善;
去膠及去膠后清洗
爐管及長(zhǎng)膜前清洗
氧化層/氮化硅蝕刻
銅/鈦金屬蝕刻
聚合物去除
擦片清洗
化學(xué)機(jī)械研磨后清洗
可以提供完整的濕法工藝解決方案,及前瞻的技術(shù)規(guī)劃。
設(shè)備及工藝已經(jīng)通過(guò)國(guó)際一線(xiàn)大廠(chǎng)的驗(yàn)證。
設(shè)備平臺(tái)及腔體設(shè)計(jì)種類(lèi)多,可滿(mǎn)足客戶(hù)不同條件。
多層式結(jié)構(gòu)腔體設(shè)計(jì),化學(xué)品回收率**可以達(dá)到95%以上。
自動(dòng)清洗功能(腔體、排風(fēng)口、 化學(xué)品噴嘴及手臂),可避免交叉污染及減少微粒子。
先進(jìn)的自動(dòng)工藝控制功能(片/批次),可以改善產(chǎn)品的均勻性。
可靠的視覺(jué)辨識(shí)功能,能立即偵測(cè)設(shè)備異常,預(yù)防產(chǎn)品異常。
IPA 干燥功能,可以減少微粒子及水痕。
ULTRON S2XX/S3XX
設(shè)備平臺(tái): ULTRON S-Series
晶圓尺寸: 200mm/300mm,
相關(guān)技術(shù): 全自動(dòng)旋轉(zhuǎn)式濕法清洗適用制程: 晶體管, 連接體, 圖形化, 先進(jìn)內(nèi)存, 封裝
名 稱(chēng) | 描 述 | |
型號(hào) | ? ULTRON S2XX | ? ULTRON S3XX |
晶圓尺寸 | ? 200mm | ? 300mm |
上料端口 | ? 4個(gè) | ? 4個(gè) |
工廠(chǎng)自動(dòng)化 | ? OHT possible | ? OHT possible |
腔體 | ? 8個(gè) | ? 12個(gè), 雙層三排 |
化學(xué)品供應(yīng) | ? 多腔體可用 | ? 多腔體可用 |
產(chǎn)能 | ? Max=295 | ? Max=590 |
機(jī)械手臂 | ? Index Robot : 1個(gè) | ? Index Robot : 1個(gè) |
尺寸 | ? 2520(W)x 4180(D) x3800(H) | ? 2400(W)x 4720(D) x2555(H) |
產(chǎn)品咨詢(xún)
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