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根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV9-1110的非接觸式和無損成像(μPCD / MDP(QSS))、光電導(dǎo)性、電阻率和p/n檢查。

晶圓切割，爐內(nèi)監(jiān)控，材料優(yōu)化等。

日常壽命測量，質(zhì)量控制和檢驗

**產(chǎn)量：>240塊/天或>720片/天

測量速度：對于156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠，<4分鐘

良品率提升：1mm切割標(biāo)準(zhǔn)為156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠

質(zhì)量控制：用于過程和材料的質(zhì)量監(jiān)控，如單晶硅或多晶硅

沾污檢測：起源于坩堝和生產(chǎn)設(shè)備的金屬(Fe)

可靠性：模塊化和堅固耐用的工業(yè)儀器，更高可靠性，運行時間> 99%

可重復(fù)性:> 99.5%電阻率：可做面掃描，不需經(jīng)常校準(zhǔn)

精密材料研發(fā)

鐵濃度測定

陷阱濃度測定

硼氧測定依賴于注入的測量等

特性

無接觸和無破壞的半導(dǎo)體檢測

特殊“underneath the surface”壽命測量技術(shù)

對不可見缺陷的可視化測試具有很高靈敏度

自動設(shè)置硅錠切割標(biāo)準(zhǔn)

空間分辨p/n電導(dǎo)型變換檢測