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此設(shè)備配備了***的測試模式

具備印加脈沖寬度為100ns/200ns的normal TLP測試與寬度到1ns的VF-TLP(Very Fast TLP)測試模式

有助于驗證HBM/CDM模式的測試

對于器件管腳的入射波和器件管腳發(fā)出的反射波，都可在示波器上確認(rèn)到

此數(shù)據(jù)會自動保存，并在專用的顯示軟件上表示

專用顯示軟件可對入射波/反射波的合計值，snapback特性以及漏電流測試的電流值進(jìn)行圖形描繪

被保存的示波器上的數(shù)據(jù)可以進(jìn)行高自由度的演算處理

比如，對于不同工藝的晶體管的ON電壓及可以加在保護(hù)電路上的**電流值等，可以通過曲線的重疊描繪來確認(rèn)其差異

并且可以與半自動探針臺連接，實現(xiàn)TLP測試的自動化

由于可以在Wafer level上進(jìn)行印加管腳間或芯片間的自動移位，所以能夠很大地提升測試效率