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面議
599
德國(guó)Sentech 經(jīng)濟(jì)型反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(可升級(jí))Etchlab200
經(jīng)濟(jì)型等離子刻蝕設(shè)備EtchLab 200 具備低成本效益高的特點(diǎn),并且支持揭蓋直接放置樣片。EtchLab 200 允許通過載片器,實(shí)現(xiàn)多片工藝樣品的快速裝載,也可以直接快速地把樣品裝載在電極上。RIE等離子體刻蝕設(shè)備具備占地面積小,模塊化和靈活性等設(shè)計(jì)特點(diǎn)。
商品描述:
低成本效益高
RIE等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200結(jié)合平行板等離子體源設(shè)計(jì)與直接置片。
升級(jí)擴(kuò)展性
根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì),等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200可升級(jí)為更大的真空泵組,預(yù)真空室和更多的氣路。
SENTECH控制軟件
該等離子刻蝕機(jī)配備了用戶友好的強(qiáng)大軟件,具有模擬圖形用戶界面,參數(shù)窗口,工藝編輯窗口,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。
Etchlab 200 RIE等離子刻蝕機(jī)代表了直接置片等離子刻蝕機(jī)家族,它結(jié)合了RIE的平行板電極設(shè)計(jì)和直接置片的成本效益設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。Etchlab 200的特征是簡(jiǎn)單和快速的樣品加載,從零件到直徑為200mm或300mm的晶片直接加載到電極或載片器上。靈活性、模塊性和占地面積小是Etchlab 200 的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。位于頂部電極和反應(yīng)腔體的診斷窗口可以方便地容納SENTECH激光干涉儀或OES和RGA系統(tǒng)。橢偏儀端口可用于SENTECH原位橢偏儀進(jìn)行原位監(jiān)測(cè)。
Etchlab 200等離子蝕刻機(jī)可以配置成用于刻蝕直接加載的材料,包括但不限于硅和硅化合物,化合物半導(dǎo)體,介質(zhì)和金屬。
Etchlab 200通過先進(jìn)的SENTECH控制軟件操作,使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)和用戶友好的通用用戶界面。
Etchlab 200
RIE等離子蝕刻機(jī)
開蓋設(shè)計(jì)
適用于200mm的晶片
用于激光干涉儀和OES的診斷窗口
選配橢偏儀接口
帶真空室的 Etchlab 200
帶預(yù)真空室的RIE刻蝕機(jī)
適用于4英寸到8英寸的晶片
小片或碎片的載片器
氯基刻蝕氣體
更大的真空泵組
Etchlab 200-300
RIE等離子蝕刻機(jī)
開蓋設(shè)計(jì)
適用于300mm的晶片
用于激光干涉儀和OES的診斷窗口
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
HSE系列等離子刻蝕機(jī)