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PlasmaEtch 等離子開封設備
等離子開封設備PlasmaEtch是一個革命性的氣體為基礎的半導體蝕刻系統(tǒng)。采用以前從未見過的應用微波氣體煽動化學基團為各向同性腐蝕。PlasmaEtch腐蝕大部分樣本大小,封裝類型和引線鍵合的類型。無論它是一個傳統(tǒng)的金絲樣品或者該樣品設有銅或銀導線,PlasmaEtch都提供了安全可靠的蝕刻。
等離子開封設備是為快速蝕刻模具化合物,聚酰亞胺芯片特別研發(fā)的,無需攻擊敏感的接線便可將芯片開封。
優(yōu)點:
1)對銅線、數(shù)化銅線及
2) 銀線線無傷害
3) 傷害小 (selectivity > 500:1)
4)快速等向性蝕刻
5) 無離子、無輻射
6) 加力聚焦下游等離子體刻蝕
7) 質(zhì)量流量控制的所有氣體
8) 低溫蝕刻
9) 各向同性蝕刻
主要特點:
1)可定制的蝕刻配方
2)蝕刻封裝類型多種多樣
3)優(yōu)化開封微芯片
4)開封處理程序快速
5) 高刻蝕率及低成本
6) 完全Chemical-free 開蓋,符合環(huán)保要求
7) 針對銀線的**解決辦法
8) 移除率約200 μm/小時
(包括無機填充材料移除)
開封后的效果
XRD-晶向定位
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