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TriPHEMOS 實(shí)時(shí)分析微光顯微鏡

為了滿足CPU越來(lái)越快的速度和移動(dòng)設(shè)備中低功耗的需求，先進(jìn)的IC已經(jīng)具有降低電壓、轉(zhuǎn)化為倒裝芯片、多布線層以及進(jìn)一步減小尺寸等特點(diǎn)。由此也導(dǎo)致使用傳統(tǒng)技術(shù)難以分析芯片內(nèi)部工作的時(shí)序。

TriPHEMOS工具使用二維紅外探測(cè)器，可以皮秒級(jí)精度分析器件時(shí)序。

特性

全新的探測(cè)器，其靈敏度范圍可達(dá)1600nm

全新的探測(cè)器靈敏度范圍為950nm到1600nm，而傳統(tǒng)探測(cè)器的范圍只能到1400nm。擴(kuò)展出來(lái)的光譜靈敏度增加了背面分析和低電壓驅(qū)動(dòng)IC的探測(cè)效率。

全新的TDC（Time to Digital Converter），減少了分析時(shí)間

全新設(shè)計(jì)的TDC可以以12.5ps的時(shí)間分辨率測(cè)量10ms內(nèi)發(fā)生的光發(fā)射。專用分析軟件可以在全測(cè)量范圍的任何時(shí)間窗內(nèi)獲取結(jié)果，因此可探究出每個(gè)事件的更多細(xì)節(jié)。

TDC可提供更高的重復(fù)頻率

專門設(shè)計(jì)的TDC**可提供10MHz的重復(fù)頻率。TDC的重復(fù)頻率范圍為100Hz到10MHz，因此使用者在測(cè)試工程中可更加靈活（循環(huán)長(zhǎng)度）。

二維探測(cè)器同時(shí)測(cè)量

近紅外二維探測(cè)器同時(shí)測(cè)量視場(chǎng)內(nèi)所有晶體管的光發(fā)射波形，因此可快速識(shí)別目標(biāo)晶體管。

低噪聲測(cè)量

TriPHEMOS的近紅外二維探測(cè)器的ems噪聲比傳統(tǒng)固態(tài)探測(cè)器的要低1/1000（室內(nèi)），因此可以捕獲非常微弱的光現(xiàn)象。

多功能平臺(tái)

TriPHEMOS 配備了適用于背面操作的多功能平臺(tái)。該平臺(tái)允許使用者增加額外的探測(cè)器，可與激光應(yīng)用配合工作。通過(guò)降低樣品設(shè)置的復(fù)雜度進(jìn)而流程長(zhǎng)度，平臺(tái)將設(shè)置樣品的效率**化。

分析功能

可在測(cè)量中實(shí)時(shí)成像。

• ROI(感興趣區(qū)域)窗口可對(duì)特定的晶體管進(jìn)行分析。

• 邏輯仿真器下載輸出。

選配

CAD導(dǎo)航軟件

選配的CAD導(dǎo)航接口軟件可使用戶在CAD數(shù)據(jù)上覆蓋發(fā)光，以進(jìn)一步分析。

EO探針單元C12323-01

EO探針單元是一款工具，通過(guò)使用非連續(xù)光源，透過(guò)硅基底來(lái)觀察晶體管狀態(tài)。它由EOP（Electro Optical Probing）來(lái)快速測(cè)量晶體管工作電壓，由EOFM（Electro Optical Frequency Mapping）以特定頻率對(duì)活躍晶體管成像。

應(yīng)用

• 時(shí)序驗(yàn)證

• IC開(kāi)發(fā)中的設(shè)計(jì)驗(yàn)證

• DFM參數(shù)收集

• 器件失效分析

LSI器件光發(fā)射的動(dòng)態(tài)測(cè)量

LSI器件內(nèi)部的CMOS晶體管在源極和漏極施加電壓時(shí)由于電流流動(dòng)而發(fā)光，該發(fā)光現(xiàn)象可分為瞬變態(tài)和靜止態(tài)。

測(cè)量瞬變光發(fā)射（瞬變態(tài)）

當(dāng)邏輯狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，LSI器件內(nèi)部的晶體管開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換，晶體管瞬間的電流反射出脈沖光。對(duì)該脈沖光的波形進(jìn)行時(shí)域測(cè)量，可以皮秒級(jí)精確度對(duì)時(shí)間進(jìn)行測(cè)量。

測(cè)量靜止光發(fā)射（靜止態(tài)）

無(wú)論晶體管是維持在開(kāi)還是關(guān)狀態(tài)，對(duì)其施加電壓會(huì)產(chǎn)生電流并且發(fā)光。該現(xiàn)象因?qū)SI施加的電壓以及門電壓的不同而不同。當(dāng)晶體光處于關(guān)狀態(tài)時(shí)，決定晶體光特性和缺陷數(shù)目的亞閾值電壓還影響電流流動(dòng)中的漏電流量。分析靜止態(tài)的光發(fā)射可以定位缺陷點(diǎn)，追蹤晶體管特性浮動(dòng)、LSI供電不規(guī)則性等等參量。

測(cè)量示例

參數(shù)

*1：重量因選配不同而變化。