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碳化硅單晶片SiC

碳化硅單晶片SiC

直接聯(lián)系

廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司

福建

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報(bào)價(jià):

面議

品牌:

中芯晶研

型號:

碳化硅單晶片SiC

關(guān)注度:

317

產(chǎn)品介紹

硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料,但與碳化硅(SiC)晶片相比,則顯得效率低下。碳化硅晶片現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納,特別是電動汽車,以應(yīng)對開發(fā)高效率和高功率器件所面臨的能源和成本挑戰(zhàn). 碳化硅晶片由純硅和碳組成,與硅相比具有三大優(yōu)勢:更高的臨界雪崩擊穿場強(qiáng)、更大的導(dǎo)熱系數(shù)和更寬的禁帶。碳化硅晶片具有3電子伏特(eV)的寬禁帶,可以承受比硅大8倍的電壓梯度而不會發(fā)生雪崩擊穿。禁帶越寬,在高溫下的漏電流就越小,效率也越高。而導(dǎo)熱系數(shù)越大,電流密度就越高。SiC襯底具有更高的電場強(qiáng)度,因而可以使用更薄的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),其厚度可能僅為硅外延層的十分之一。此外,SiC的摻雜濃度比硅高2倍,因此器件的表面電阻降低了,傳導(dǎo)損耗也顯著減少。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”,6”碳化硅單晶片。image.png

產(chǎn)品咨詢

碳化硅單晶片SiC

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碳化硅單晶片SiC - 317
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