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磷化銦單晶片InP

磷化銦單晶片InP

直接聯(lián)系

廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司

福建

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報(bào)價:

面議

品牌:

中芯晶研

型號:

磷化銦單晶片InP

關(guān)注度:

307

產(chǎn)品介紹

磷化銦(InP)是由銦和磷組成的二元半導(dǎo)體。它具有面心立方(“zincblende”)晶體結(jié)構(gòu),與GaAs和大多數(shù)III-V半導(dǎo)體相同。磷化銦可以通過白磷和碘化銦在400℃下的反應(yīng)制備,也可以通過在高溫和高壓下直接組合純化的元素,或通過三烷基銦化合物和膦的混合物的熱分解來制備。磷化銦用于高功率和高頻電子設(shè)備,因?yàn)樗鄬τ诟R姷陌雽?dǎo)體硅和砷化鎵具有優(yōu)異的電子速度。它與銦鎵砷一起用于制造破紀(jì)錄的假晶異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,其可以在604GHz下工作。它還具有直接帶隙,使其可用于激光二極管等光電器件。Infinera公司使用磷化銦作為制造光通信行業(yè)光子集成電路的主要技術(shù)材料,以實(shí)現(xiàn)波分復(fù)用應(yīng)用。磷化銦還用作外延基于銦鎵砷的光電器件的襯底。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”磷化銦單晶片。image.png

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磷化銦單晶片InP

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磷化銦單晶片InP - 307
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