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氮化鎵單晶片GaN

氮化鎵單晶片GaN

直接聯(lián)系

廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司

福建

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價:

面議

品牌:

中芯晶研

型號:

氮化鎵單晶片GaN

關(guān)注度:

313

產(chǎn)品介紹

氮化鎵(GaN)是二十世紀(jì)九十年代以來常用于發(fā)光二極管的二元III / V直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物是一種非常堅硬的材料,具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。其3.4 eV的寬帶隙為光電,高功率和高頻器件的應(yīng)用提供了特殊的性能。例如,GaN是使紫色(405nm)激光二極管成為可能的基板,而不使用非線性光學(xué)倍頻。它對電離輻射的敏感性很低(與其他III族氮化物一樣),使其成為衛(wèi)星太陽能電池陣列的合適材料。由于設(shè)備在輻射環(huán)境中表現(xiàn)出穩(wěn)定性,因此軍事和太空應(yīng)用也可能受益。由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作,并且工作電壓比砷化鎵(GaAs)晶體管高得多,因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。此外,GaN為THz器件提供了有前景的特性。image.png

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氮化鎵單晶片GaN

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氮化鎵單晶片GaN - 313
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