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關于碳化硅（SiC）外延片碳化硅外延片以碳化硅單晶片為襯底，通常采用化學氣相沉積（CVD）方法在晶片上沉積一層單晶，形成外延片。 其中，碳化硅外延是通過在導電碳化硅襯底上生長碳化硅外延層來制備，進一步制作成功率器件。   2. 碳化硅外延片規(guī)格我司可提供4、6英寸N型4H-SiC外延片。該外延片禁帶寬度大、飽和電子飄移速度高、存在高速二維電子氣、擊穿場強高。這些性能使得器件耐高溫、耐高壓、開關速度快、導通電阻低、體積小、重量輕。   3. SiC 外延應用 SiC外延片主要用于肖特基二極管（SBD）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、結型場效應晶體管（JFET）、雙極結型晶體管（BJT）、晶閘管（SCR）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），應用于低壓、中壓和高壓領域。目前，用于高壓領域的SiC外延片在世界范圍內(nèi)處于研發(fā)階段。