粉體行業(yè)在線展覽
砷化鎵單晶片GaAs
面議
中芯晶研
砷化鎵單晶片GaAs
307
砷化鎵(GaAs)是鎵和砷元素的化合物。它是具有閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的III-V直接帶隙半導(dǎo)體。砷化鎵用于制造微波頻率集成電路,單片微波集成電路,紅外發(fā)光二極管,激光二極管,太陽(yáng)能電池和光學(xué)窗口等設(shè)備。GaAs通常用作外延生長(zhǎng)其他III-V半導(dǎo)體的襯底材料,包括砷化銦鎵,砷化鋁鎵等。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”砷化鎵單晶片。