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>砷化銦單晶片InAs

砷化銦單晶片InAs

砷化銦單晶片InAs

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廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司

福建

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報(bào)價(jià):

面議

品牌:

中芯晶研

型號:

砷化銦單晶片InAs

關(guān)注度:

319

產(chǎn)品介紹

砷化銦InAs或銦單砷化物是由銦和砷組成的半導(dǎo)體。它具有灰色立方晶體的外觀,熔點(diǎn)為942°C。砷化銦用于構(gòu)建紅外探測器,波長范圍為1-3.8μm。探測器通常是光伏光電二極管。低溫冷卻探測器具有較低的噪聲,但I(xiàn)nAs探測器也可用于室溫下的高功率應(yīng)用。砷化銦也用于制造二極管激光器。砷化銦類似于砷化鎵,是一種直接的帶隙材料。砷化銦有時(shí)與磷化銦一起使用。與砷化鎵合金形成銦鎵砷 – 一種帶隙取決于In / Ga比的材料,這種方法主要類似于將氮化銦與氮化鎵合金化以產(chǎn)生氮化銦鎵。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知。它被廣泛用作太赫茲輻射源,因?yàn)樗且粋€(gè)強(qiáng)大的光 – 琥珀發(fā)射器。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”砷化銦單晶片。image.png

產(chǎn)品咨詢

砷化銦單晶片InAs

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砷化銦單晶片InAs - 319
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