雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD

QBT-T

直接聯(lián)系

廈門韞茂科技有限公司

福建

產品規(guī)格型號

參考報價：

面議

品牌：

韞茂科技

型號：

QBT-T

關注度：

2362

創(chuàng)新點：

廈門韞茂科技有限公司憑借在先進材料設備業(yè)務方面多年的經驗，韞茂為新型芯片，半導體和鋰電池領域的新材料開發(fā)和生產，提供***的納米工藝設備和服務解決方案。根據(jù)您的特殊需求，我們?yōu)槟ㄖ拼蛟靹?chuàng)新納米加工平臺，保證高品質的設計，多功能，易于使用的界面，嚴格的安全控制，以及快速的交付和服務。

產品介紹

雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng) QBT-T

原子層沉積（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。

產品描述

廈門韞茂科技公司的雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)（QBT-T），設備采用雙腔體設計，腔體之間可實現(xiàn)獨立控制，雙倍產出。腔體分別為PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的獨特設計，使設備可以在平片上實現(xiàn)等離子體ALD的生長工藝以及粉末ALD包覆工藝，設備配有獨立控制的300℃完整加熱反應腔室系統(tǒng)，保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有**粉末樣品桶、晶圓載盤、全自動溫度控制、ALD前驅體源鋼瓶、自動溫度控制閥、工業(yè)級安全控制，以及現(xiàn)場RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設計選項。是先進能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導體領域研究與應用的**研發(fā)工具之一。

主要技術參數(shù)

QBT-T 技術參數(shù) Technical Specifications （TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制備）
腔體	雙腔體設計（1個硅片PEALD腔室，1個粉末ALD腔室），每個腔體獨立控制，雙倍產出
等離子體 Plasma	**3kW RF自匹配電源
**基板尺寸Max Wafer Size	Ф150mm (可定制）
高精準樣品加熱控制 Wafer Heating	RT-300±1℃
前驅體 Max Precursor	**可包括3組等離子體反應氣體 8組液態(tài)或固態(tài)反應前驅體, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors
臭氧發(fā)生器Ozone Generator	可選配，生產效率15g/h
人機界面 HMI	全自動化人機操作界面
安全Safety	工業(yè)標準安全互鎖Industry Safety Interlock，報警Alarm，EMO