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雙腔室UHV磁控濺射鍍膜系統

QBT-P

直接聯系

廈門韞茂科技有限公司

福建

產品規(guī)格型號

參考報價：

面議

品牌：

韞茂科技

型號：

QBT-P

關注度：

1834

創(chuàng)新點：

廈門韞茂科技有限公司憑借在先進材料設備業(yè)務方面多年的經驗，韞茂為新型芯片，半導體和鋰電池領域的新材料開發(fā)和生產，提供***的納米工藝設備和服務解決方案。根據您的特殊需求，我們?yōu)槟ㄖ拼蛟靹?chuàng)新納米加工平臺，保證高品質的設計，多功能，易于使用的界面，嚴格的安全控制，以及快速的交付和服務。

產品介紹

雙腔室超高真空雙磁控測射系統 QBT-P

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磁控濺射技術原理

在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場。當濺射產生的二次電子在陰極位降區(qū)內被加速為高能電子后，并不直接飛向陽極，而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運動。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉移能量，使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子*終沿磁力線漂移到陰極附近的輔助陽極而被吸收，避免高能電子對極板的強烈轟擊，消除了二級濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷，體現出磁控濺射中極板“低溫”的特點。由于外加磁場的存在，電子的復雜運動增加了電離率，實現了高速濺射。

磁控濺射技術特點

成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現大面積鍍膜

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技術參數

QBT-P 技術參數 Technical Specifications （超導Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制備）
超高真空腔體 UHV Chamber	2個UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 極限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr
排氣速率Pumping Spead	從ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
基板加熱 Wafer Heating	RT-900oC
離子束清洗 Ion Milling	考夫曼離子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV; Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蝕均一性<3%
磁控濺射Sputtering	DC or RF Power Supply, 基板與靶材距離連續(xù)可調Wafer and Target Space can Change Continoulsly
基板傳輸 Wafer Transfer	高度可靠和可重復的基板傳輸能力
人機界面 HMI	全自動化人機操作界面
安全Safety	工業(yè)標準安全互鎖Industry Safety Interlock，報警Alarm，EMO