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AMPTEKX射線/X光硅漂移探測器XR-100SDD

直接聯(lián)系

AMPTEK INC.

美國

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價:

面議

關(guān)注度:

638

產(chǎn)品介紹

XR-100SDD型X射線硅漂移探測器

125eV的能量分辨率!

采用電冷技術(shù);無需液氮!


1. XR-100型硅漂移探測器及配套電源PX5

2. 硅漂移探頭元件示意圖

XR-100SDD系列產(chǎn)品由新型高性能X射線硅漂移探頭,前置放大器(前放)和致冷系統(tǒng)組成。采用熱電致冷技術(shù)保持硅漂移探頭(SDD)的低溫工作環(huán)境,而在兩級熱電致冷器上亦安裝了輸入場效應(yīng)管(FET)和新型溫度反饋控制電路,這樣探頭組件的溫度保持在約零下55攝氏度左右,并通過組件上的溫度傳感器顯示實(shí)時溫度。探頭采用TO-8封裝,并利用不透光和不透氣(真空封裝適用)的薄鈹(Be)窗以實(shí)現(xiàn)封裝后的軟X射線探測。

XR-100SDD系列產(chǎn)品無需采用昂貴的低溫制冷系統(tǒng)即可獲得非常優(yōu)越的性能,它標(biāo)志著X射線探測器生產(chǎn)技術(shù)上的一個突破。

產(chǎn)品特性:

1. 高計(jì)數(shù)率:500,000 CPS(每秒計(jì)數(shù), counts per second);

2. 能量分辨率:125eV(半高全寬,F(xiàn)WHM,對應(yīng)峰值為5.9keV的情況);

3. 高峰本比:20,000:1“(ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical)” ;

4. 面積25mm2,厚度500µm;

5. 內(nèi)置多層準(zhǔn)直器;

6. 不需要液氮制冷。

應(yīng)用范圍:

1. X射線熒光分析;

2. 用于RoHS/WEEE標(biāo)準(zhǔn)檢測的X射線熒光譜儀;

3. OEM和其他專業(yè)應(yīng)用;

4. 生產(chǎn)工藝流程反饋控制;

5. 高校和科研院所實(shí)驗(yàn)室研究;

產(chǎn)品參數(shù):

本產(chǎn)品可以適應(yīng)于用戶不同應(yīng)用時的參數(shù)需求。

I. 高能量分辨應(yīng)用:

1. 超高能量分辨率:125eV(對應(yīng)峰值為5.9keV的情況);

2. 峰化時間(Peaking time):11.2µs;

3. 計(jì)數(shù)率:100,000 CPS;

4. 峰本比:,20,000:1;

II. 快速峰化應(yīng)用:

1. 能量分辨率:155eV(對應(yīng)峰值為5.9keV的情況);

2. 峰化時間(Peaking time):0.8µs;

3. 計(jì)數(shù)率:500,000 CPS;

III. 手持設(shè)備應(yīng)用:

1. 能量分辨率:150eV(對應(yīng)峰值為5.9keV的情況);

2. 峰化時間(Peaking time):3.2µs;

3. 探測器探頭溫度保持在250K(-24oC)

4. 計(jì)數(shù)率:200,000 CPS;

XRF設(shè)備由此開始 ... ...

3. Amptek硅漂移探測器(SDD)測得的55Fe能譜


產(chǎn)品說明

XR-100SDD型硅漂移探測器(SDD)是Amptek公司出品的一款新型X射線探測器,它標(biāo)志著X射線探測器生產(chǎn)工藝的變革。XR-100SDD因其體積小,性能優(yōu)越且價格便宜等特點(diǎn),是OEM手持式和臺式X射線熒光譜儀設(shè)備的理想選擇;而且它在保證優(yōu)異的能量分辨的同時還能達(dá)到相當(dāng)高的計(jì)數(shù)率,可以滿足各種參數(shù)需求;另外封裝采用和Amptek出品的其他探測器一樣的T0-8型外殼,方便用戶升級現(xiàn)有系統(tǒng)以及和其他Amptek產(chǎn)品配套。

硅漂移探測器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光電二極管類似,但它利用單電極結(jié)構(gòu)大大提升了性能。Amptek公司專門為X射線能譜測量應(yīng)用優(yōu)化了其所有硅漂移探測器產(chǎn)品。

同樣的探頭面積下,硅漂移探測器電容比傳統(tǒng)硅PIN探測器電容低很多,則所需成型時間變短,電子學(xué)噪聲也會大大降低。因此硅漂移探測器可以相同(較高)的計(jì)數(shù)率下得到比傳統(tǒng)探測器好的能量分辨率。另外為引導(dǎo)電子移動到相當(dāng)小的低電容陽極上,探測器中的電極結(jié)構(gòu)是特制的。


產(chǎn)品參數(shù)

常規(guī)參數(shù)
探頭類型硅漂移探測器(SDD)
探頭尺寸25mm2
硅晶體厚度500μm
準(zhǔn)直器內(nèi)置多層準(zhǔn)直器(ML)
能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2μs峰化時間)
峰本比(Peak to Background)20,000:1 (5.9keV,1keV計(jì)數(shù)比)典型的
鈹(Be)窗厚度0.5mil (12.5μm)
電荷敏感型前置放大器Amptek定制可復(fù)位放大器
增益穩(wěn)定性(溫飄)<20ppm> oC (一般情況下)
外殼尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm
重量4.4 ounces (125g)
總功率<1W
保修期一年
產(chǎn)品壽命五到十年,因具體應(yīng)用而異
環(huán)境溫度0~+50oC
倉儲和物流要求長時間倉儲:干燥條件下存放十年以上

倉儲/物流需求:-20到+50 oC,10%到90%濕度(無冷凝器)

TUV Certification

Certificate #: CU 72072412 02

Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05

CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004

輸出參數(shù)
前置放大器電源電壓正負(fù)8到9V,電流15mA,噪聲峰峰值小于50mV
探頭電源電壓-90到-150V,電流25μA;

輸入需要非常穩(wěn)定:<0.1%的波動。

制冷器電源**電壓3.5V,**電流350mA,噪聲峰峰值小于100mV;

注意:XR-100SDD探測器自身包含溫度控制器

輸出參數(shù)
前置放大器靈敏度一般為1mV/keV(不同探測器可能略有不同)
前置放大器極性正脈沖信號輸出(**負(fù)載為1k歐姆)
前端放大器反饋復(fù)位
溫度顯示靈敏度利用PX5/X-123等直接讀取溫度(單位:開爾文)
可選配置或配件
X-123SDD

硅漂移探測器(SDD)也有對應(yīng)的X-123SDD譜儀配置。該集成化配置包含了X射線探頭,前置放大器,DP5數(shù)字脈沖處理和多道分析模塊,以及PC5電源模塊。而用戶僅需提供+5V的直流輸入和到您的電腦的USB/RS232/以太網(wǎng)連接。

包含硅漂移探測器的X-123SDD譜儀產(chǎn)品

真空配件和所有Amptek真空配件兼容
OEM和所有Amptek OEM配件兼容

注意事項(xiàng):

1. 硅漂移探測器需要負(fù)高壓,而前放輸出為正脈沖

這和標(biāo)準(zhǔn)Si-PIN探測器所要求的正高壓,而前方輸出為負(fù)脈沖正好相反;

2. PX5電源模塊可以輸出正或負(fù)的高壓。若您為XR100SDD配套訂購了PX5模塊,則PX5必須設(shè)置為負(fù)高壓輸出

在使用XR-100CR探測器時,因錯誤設(shè)定PX5為負(fù)高壓輸出導(dǎo)致的探測器損壞不在保修范圍之內(nèi)

而使用XR-100SDD探測器時,因設(shè)定PX5為正高壓輸出導(dǎo)致的探測器損壞亦不在保修范圍之內(nèi)


準(zhǔn)直器的使用

為提高能譜測量的質(zhì)量,絕大部分Amptek生產(chǎn)的探測器都帶有內(nèi)部準(zhǔn)直器。

探測器有效面元(active volume)邊緣部分和X射線的相互作用會因不完全電荷收集產(chǎn)生一些小脈沖信號,進(jìn)而影響測得的能譜數(shù)據(jù)。而且這些信號可能正處在用戶所關(guān)心的元素所在的能量范圍,降低了信噪比。而內(nèi)部準(zhǔn)直器則可以限制X射線只能打到有效面元內(nèi),這就避免了噪聲信號的產(chǎn)生。

不同類型的探測器中準(zhǔn)直器的應(yīng)用各有優(yōu)點(diǎn):提高峰本比(P/B);消除邊界效應(yīng);消除假尖峰信號。


真空環(huán)境中的應(yīng)用

XR-100SDD型產(chǎn)品可以工作在10-8托的真空環(huán)境到大氣壓下工作,而真空環(huán)境應(yīng)用有如下兩種方案:

1) XR-100SDD的探頭和前放均置于真空室內(nèi)部:

a. 為保證XR-100SDD的正常工作,需避免器件過熱,并做好輸入的1W功率的良好導(dǎo)熱;即利用XR-100SDD封裝上的四個安裝孔,根據(jù)具體真空室位形設(shè)計(jì)散熱,將器件熱量傳導(dǎo)到真空室壁上;

b. 在CF(Conflat Flange)刀口法蘭上利用可選的真空饋通端子(如9DVF型,九接口)連接XR-100SDD和真空室外的PX5電源。

2) XR-100SDD全部置于真空室外:需利用可選的真空探測器延長組件(如EXV9型加長管,長9英寸)和標(biāo)準(zhǔn)CF刀口法蘭窗口(通過O圈密封)配套。

圖4. 真空條件使用中可選的延長組件

圖5. 高采樣率X射線束線系統(tǒng)中Amptek高性能SDD的應(yīng)用(定制法蘭,4個SDD探測器)


其他系統(tǒng)說明及性能曲線

圖6. SDD的能量分辨率和峰化時間曲線

圖7. Si-PIN和SDD探測器的分辨率-峰化/成形時間曲線對比

圖8. 對應(yīng)不同峰化時間的能量分辨率和輸入計(jì)數(shù)率曲線(SDD配套DP5使用)

該圖也表示了**輸出計(jì)數(shù)率曲線(黑色虛線)。而系統(tǒng)工作參數(shù)在該曲線右邊區(qū)域時,盡管輸入計(jì)數(shù)率很高,但輸出計(jì)數(shù)率仍會小于**值,具體情況見下圖9。

圖9. 不同峰化時間下SDD的輸入計(jì)數(shù)率和輸出計(jì)數(shù)率曲線(輸出效率)

由于SDD探測器具有更小的電容,在成型放大器中較短的成形時間即可保證較好的能量分辨率。通常使用9.6μs或更小的成形時間,這極大提高了系統(tǒng)的輸出效率。

圖10. 使用SDD得到的55Fe能譜

圖11. 不同峰化時間下SDD探測器的能量分辨率和對應(yīng)能量峰值曲線

圖12. 綜合考慮鈹窗(及保護(hù)膜)的傳輸效率及和Si晶體的相互作用效率后不同能量的傳輸率曲線。

曲線的低能量部分由鈹窗厚度決定(0.3mil/8μm或0.5mil/12.5μm),而高能量部分則由Si晶體有效厚度決定:500μm。

傳輸效率文件:包含傳輸效率方面系數(shù)和常見問題解答的.zip格式文件,僅提供基本信息,不能作為定量分析依據(jù)。


SDD應(yīng)用中的各種能譜圖

利用高性能硅漂移探測器(Super SDD)和Mini-X型X射線管測得的不同樣品的熒光能譜:

圖13. SS316型不銹鋼

圖14. PVC樣品(RoHS/WEEE標(biāo)準(zhǔn))

圖15. CaCl2溶液(800ppm Ca, 1200 ppm Cl)

圖16. 含有少量KCl的原油(1100ppm)中的S元素

圖17. 汽車催化劑

圖18. 鉑金(Pt)戒指


完整的X射線熒光譜儀(XRF)系統(tǒng)

圖19. 安裝于MP1型平板上的XR100SDD探測器和Mini-X發(fā)生器

完整的XRF系統(tǒng)包括:

1. XR-100SDD型硅漂移探測器;

2. PX5型數(shù)字脈沖處理器,多道分析器及電源;

3. Mini-X型USB控制X射線管;

4. XRF-FP定量分析軟件;

5. MP1型XRF系統(tǒng)安裝平臺。


更多信息請關(guān)注AMPTEK英文官方網(wǎng)站:。

產(chǎn)品咨詢

AMPTEKX射線/X光硅漂移探測器XR-100SDD

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