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Low-K開槽裝備
面議
通用智能
Low-K開槽裝備
550
HGL1151系列是集成了通用智能核心技術(shù)的半導(dǎo)體晶圓Low-K層開槽設(shè)備,全自動一站式加工,晶圓上料→預(yù)清洗+保護(hù)層涂布→激光開槽→后清洗+干燥→晶圓下料,所有工藝過程一氣呵成。產(chǎn)品全系采用高性能激光器及空間光整形系統(tǒng),標(biāo)配超高精密氣浮式高速加工平臺,切割過程實(shí)時監(jiān)控··實(shí)時糾偏等功能,確保Low-K晶圓開槽的精度一致性和質(zhì)量的穩(wěn)定性。本產(chǎn)品的開槽精度高,槽形優(yōu)異,尤其對熱影響區(qū)的控制達(dá)到國際**水準(zhǔn)。主要技術(shù)性能達(dá)到國內(nèi)**,部分技術(shù)性能超過國際同類產(chǎn)品,是全面替代進(jìn)口開槽設(shè)備的**選擇。
Low-K激光開槽工藝優(yōu)勢
? 非接觸加工、無物理應(yīng)力、無晶圓碎裂風(fēng)險
? 通過動態(tài)激光實(shí)時控制,工藝設(shè)置簡單靈活
①自由改變開槽寬度
②自由設(shè)置槽底平滑度
? 運(yùn)用方便,運(yùn)用成本低
①一次定位、一次清洗,
②工藝過程清潔
③無環(huán)境污染
④基本無耗材,運(yùn)用成本極低
技術(shù)原理
? 運(yùn)用高性能空間光整形技術(shù)按需調(diào)制輸出激光形態(tài)
①切割道兩側(cè)以極細(xì)的雙光束刻畫出邊界細(xì)槽
②以平頂多光束激光在邊界槽內(nèi)側(cè)切割道開槽
? 運(yùn)用高性能實(shí)時動態(tài)激光控制技術(shù)確保開槽精度
①實(shí)時控制激光束對槽壁垂直度的加工精度
②實(shí)時控制激光束對槽底平整度的加工精度
? 超快速脈沖激光束對Low-K材料進(jìn)行精確去除
? 開槽周邊熱影響區(qū)控制在5μm以內(nèi)
Low-K材料開槽工藝制程
? Low-k(低介電常數(shù))材料是線寬制程低于 65nm 以下的高性能集成電路所必須的絕緣材料
? Low-K 材料機(jī)械特性脆弱,易碎
? Low-K 材料與 Si 系材料的附著力低,易剝離易分層
? 帶有 Low-K 層的半導(dǎo)體晶圓無法承受傳統(tǒng)刀輪切割的機(jī)械沖擊帶有 Low-K 材料的晶圓在切割前,需導(dǎo)入 Low-K 開槽工藝,以避免后續(xù)切割制程對 Low-K 材料層造成傷害
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
自動劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
HSE系列等離子刻蝕機(jī)