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>高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCP200

高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCP200

高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCP200

直接聯(lián)系

北京泰科諾科技有限公司

北京

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價:

面議

品牌:

北京泰科諾

型號:

高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCP200

關(guān)注度:

305

產(chǎn)品介紹

設(shè)備型號: JCP200

真空腔室結(jié)構(gòu): 立式上開蓋結(jié)構(gòu)

真空腔室尺寸: Φ220mm×H300mm

加熱溫度: 室溫~ 500℃

基片臺尺寸: Φ100mm

膜厚不均勻性: Φ50mm 范圍內(nèi)≤ ±5.0%

濺射靶: Φ2 英寸磁控靶 1 支 兼容 DC/RF 濺射

工藝氣體 :1-2 路氣體流量控制

控制方式 :PLC + 觸摸屏控制

占地面積 (主機(jī)) :L600mm×W800mm×H1700mm

總功率 :≥ 6kW


產(chǎn)品咨詢

高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCP200

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