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高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCPY500
面議
北京泰科諾
高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCPY500
288
設(shè)備型號(hào):JCPY500
真空腔室結(jié)構(gòu):后置抽氣系統(tǒng)
真空腔室尺寸:Φ500mm×H450mm帶 Load-Lock 功能 支持單片或多片進(jìn)取樣
加熱溫度 :室溫~ 500℃
基片臺(tái)尺寸:Φ150mm
膜厚不均勻性 :Φ100mm 范圍內(nèi)≤ ±5.0%
濺射靶 :Φ3、Φ4 英寸磁控靶 2-4 支(可選)
工藝氣體 :3 路氣體流量控制
控制方式 : PLC/PC(可選)
占地面積 (主機(jī)) :L1800mm×W800mm×H1845mm
總功率 :≥ 15kW
大專院校、科研院所及企業(yè)進(jìn)行薄膜新材料的科研與小批量制備
1. 可提供工藝技術(shù)支持,及良好售后服務(wù);
2. 設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小,性價(jià)比高,性能穩(wěn)定,使用維護(hù)成本低;
3. 單靶濺射 / 多靶依次濺射或共同濺射,兼容 DC/MF/RF 濺射等功能 。
4. 可制備單層及多層金屬膜、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、耐熱合金膜、硬質(zhì)膜、耐腐蝕摸、透明導(dǎo)電膜,如鈣鈦礦空穴傳輸層、金屬電極以及透明導(dǎo)電層ITO膜層的制備等”;
大面積平板鍍膜設(shè)備JCPF3500
真空退火爐/釬焊爐VTHK350
真空電弧爐VDK250
多功能磁控離子濺射復(fù)合鍍膜機(jī)TSU650
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF1200
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF700
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF600
熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF450
高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCPY500
高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCP350
電阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCP200
TEM 熱、電、氣、液、冷凍樣品桿
X-300 X-FLUXER? 三位全自動(dòng)熔片儀
合金分析儀
SHM1000
其他
NAI-ZLY-4/6C
CX-100
EMC-1
HMYX-2000
NJ-80型
GPZT-JH10/4W
EXAKT 80E