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德國 Sentech等離子沉積機 SI 500 D ：

超高密度等離子體

SI 500d具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。

平面等離子體源

森泰克**的平面三螺旋天線(PTSA)等離子體源允許高效率低功率耦合。

杰出的沉積特性

低腐蝕速率、高擊穿電壓、低應力、基體無損傷、界面狀態(tài)密度極低，沉積溫度小于100℃，使沉積薄膜具有優(yōu)異的性能。

動態(tài)溫度控制

采用動態(tài)溫度控制的基片電極，結(jié)合He背面冷卻和基片背面溫度傳感，在室溫至+350℃的大范圍溫度范圍內(nèi)，提供優(yōu)良的穩(wěn)定工藝條件。

SI 500d代表了等離子體增強化學氣相沉積介電薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等離子體源，反應氣體分離氣體入口，動態(tài)控溫基片電極，全控真空系統(tǒng)，采用遠程現(xiàn)場總線技術(shù)的先進森泰克控制軟件，以及一個非常友好的通用用戶界面來操作SI 500d。

從直徑200毫米的晶圓片到負載在載體上的各種基板，都可以在SI 500 d中進行加工。

SI 500d等離子體增強沉積工具可在室溫至350℃范圍內(nèi)沉積SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜。溶液可用來沉積TEOS、SiC和其他具有液體或氣體前驅(qū)體的材料。s500d特別適用于有機材料在低溫下沉積高效的保護屏障，以及在規(guī)定溫度下無損傷沉積鈍化膜。

森泰科提供不同的自動化水平，從真空盒式磁帶加載到一個過程室，多達六個端口集群，具有不同的沉積和蝕刻模塊，目標是高靈活性或高吞吐量。SI 500d也可以作為集群配置上的進程模塊。

SI 500 D

ICPECVD等離子體沉積工具

與真空loadlock

高達200毫米晶圓

襯底溫度從RT到350℃

激光端點檢測

可選的襯底偏置