粉體行業(yè)在線展覽
MOCVD 金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備
面議
鵬城微納
MOCVD 金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備
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MOCVD 金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備
可用于GaN、ZnO等的外延生長。
材料的輸運采取了超純的氣路系統(tǒng),源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術(shù)。由于組合閥具有極小的死空間,使得源的殘留量非常少,有利于生長具有陡峭界面的材料。
采用壓差控制技術(shù)控制組合閥的旁路和主路之間的壓力,大大降低了源的壓力和濃度波動,有利于材料生長的重復(fù)性和穩(wěn)定性。
采用了管道鑲嵌式進氣噴頭,使反應(yīng)源在襯底表面均勻混合并反應(yīng),大大降低了預(yù)反應(yīng)的發(fā)生。
采用電阻式快速升降溫加熱爐。
團簇式OLED真空蒸鍍工藝裝備
金剛石散熱晶圓片
分子束外延薄膜生長設(shè)備(MBE)
MOCVD 金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備
PECVD 等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備
LPCVD 低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備
HFCVD 熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備
高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機
高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機
高真空磁控濺射儀
化合物半導(dǎo)體
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
自動劃片機
BTF-1200C-RTP-CVD
Gasboard-2060
定制
Pentagon Qlll
HSE系列等離子刻蝕機