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PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

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鵬城微納技術(shù)（沈陽(yáng)）有限公司

沈陽(yáng)

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品牌：

鵬城微納

型號(hào)：

PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

關(guān)注度：

523

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品詳情

PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長(zhǎng)；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。

設(shè)備用途和功能特點(diǎn)

1、該設(shè)備是高真空單頻或雙頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD薄膜設(shè)備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。

2、設(shè)備保護(hù)功能強(qiáng)，具備真空系統(tǒng)檢測(cè)與保護(hù)、水壓檢測(cè)與保護(hù)、相序檢測(cè)與保護(hù)、溫度檢測(cè)與保護(hù)。

3、配置尾氣處理裝置。

設(shè)備安全性設(shè)計(jì)

1、電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)

2、設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能

3、溫度檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

4、冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測(cè)和流量檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

設(shè)備技術(shù)指標(biāo)

類型	參數(shù)
樣片尺寸	≤φ8英寸（或多片2英寸）
樣片加熱臺(tái)加熱溫度	室溫～ 600℃±0.1℃
真空室極限真空	≤7×10-5Pa
工作背景真空	≤8×10-4Pa
設(shè)備總體漏放率	停泵12小時(shí)后，真空度≤10Pa
樣品、電極間距	5mm ～ 50mm在線可調(diào)
工作控制壓強(qiáng)	10Pa ～ 1500Pa
氣體控制回路	根據(jù)工藝要求配置
單頻電源的頻率	13.56MHz
雙頻電源的頻率	13.56MHz/400KHz

工作條件

類型	參數(shù)
供電	三相五線制 AC 380V
工作環(huán)境溫度	10℃～ 40℃
氣體閥門供氣壓力	0.5MPa ～ 0.7MPa
質(zhì)量流量控制器輸入壓力	0.05MPa ～ 0.2MPa
冷卻水循環(huán)量	0.6m3/h 水溫18℃～ 25℃
設(shè)備總功率	7kW
設(shè)備占地面積	2.0m ～ 2.0m

單室與多室PECVD設(shè)備

產(chǎn)品咨詢

PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

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