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微波等離子化學(xué)氣相沉積(MPCVD)系統(tǒng) —— C型
面議
華宇東升
微波等離子化學(xué)氣相沉積(MPCVD)系統(tǒng) —— C型
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微波等離子化學(xué)氣相沉積(MPCVD)系統(tǒng) —— C型 一款先進(jìn)的碟形腔體微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備,可應(yīng)用于單晶金剛石和多晶金剛石薄膜、類金剛石薄膜的化學(xué)氣相沉積以及材料表面處理、改性及摻雜等相關(guān)研究工作。 微波輸入采用下饋的方式,為腔體結(jié)構(gòu)的優(yōu)化提供了更大的空間。 該設(shè)備可以在相對大面積的襯底上進(jìn)行單晶和多晶金剛石生長,具備平面和非平面金剛石(HDC)的生長能力。其中,單晶金剛石沉積厚度上限不低于6mm,多晶金剛石沉積厚度上限不低于500μm。 |
性能特點(diǎn):
?采用高效散熱的樣品臺 ?產(chǎn)品沉積速率快、沉積質(zhì)量高 ?穩(wěn)定的微波輸入 ?**功率達(dá)到10kW ?性能先進(jìn),安全、可靠性強(qiáng)、重現(xiàn)性好 ?多參數(shù)實(shí)時監(jiān)測、多重聯(lián)鎖保護(hù)與報(bào)警 ?為用戶提供沉積工藝解決方案 |
主要技術(shù)參數(shù):
微波源 | 6kW或10kW可選,2.45GHz |
反應(yīng)腔 | 碟形反應(yīng)腔,可承載微波功率>10kW |
反應(yīng)腔打開方式 | 揭蓋式或升降式,可選 |
微波饋入方式 | 腔體下方 |
微波泄露 | <1mW/cm2 |
極限真空度 | <5×10-4Pa |
真空漏率 | <5×10-10 Pa·L/s |
氣體質(zhì)量流量控制 | 標(biāo)配5路,可定制 |
工作氣壓 | 0.8kPa - 40kPa |
基板臺類型 | 水冷式基板臺 |
標(biāo)準(zhǔn)襯底托 | 65mm、75mm、85mm直徑圓臺面積穩(wěn)定沉積 |
樣品臺升降功能 | 有,可選 |
樣品臺旋轉(zhuǎn)功能 | 有,可選;
|
非平面(球面)金剛石樣品臺 | 可選 |
操作系統(tǒng) | PLC控制系統(tǒng) |
單次連續(xù)工作時間 | >300h |
MPCVD設(shè)備培育的CVD晶種
高穩(wěn)定程控微波源
微波傳輸系統(tǒng)
微波等離子體火炬(MPT)
微波等離子體源
電子回旋共振等離子體(ECR)系統(tǒng)
微波等離子化學(xué)氣相沉積(MPCVD)系統(tǒng) —— C型
微波等離子化學(xué)氣相沉積(MPCVD)系統(tǒng) —— B型
微波等離子化學(xué)氣相沉積(MPCVD)系統(tǒng) —— A型
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
自動劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
Gasboard-2060
HSE系列等離子刻蝕機(jī)