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M82200-10UM型PECVD 鍍膜設(shè)備

直接聯(lián)系

中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

湖南

產(chǎn)品規(guī)格型號

參考報價：

面議

品牌：

電子科技

型號：

M82200-10UM型PECVD 鍍膜設(shè)備

關(guān)注度：

產(chǎn)品介紹

PECVD鍍膜設(shè)備采用直接式等離子體沉積方式，可生產(chǎn)出質(zhì)量**的晶體硅太陽能電池減反射膜，是業(yè)內(nèi)管徑、單管產(chǎn)能**的管式鍍膜設(shè)備。

單臺（5管）產(chǎn)能≥3600片/小時（單管裝片416片/批）；

沉膜均勻性好，膜厚均勻性指標(biāo)可達(dá)：片內(nèi)≤3％、片間≤3％、批間≤3％；

350～580℃控溫范圍，同時滿足沉積氮化硅膜和退火工藝要求；

采用全套倍福控制系統(tǒng)，自動化程度高（提供MES接口、遠(yuǎn)程監(jiān)控等功能）；

全自動上下舟系統(tǒng)，一鍵全自動工藝和完善的保護(hù)報警功能；

送料機(jī)構(gòu)強度、精度、速度、穩(wěn)定性大幅優(yōu)于同類產(chǎn)品。

基本參數(shù)	成膜種類	氮化硅
	裝片量與產(chǎn)能	416 片/批（156x156mm 方片），單臺5管產(chǎn)能≥3600片/小時；
	在線時間	≥98%；
	設(shè)備功率	峰值功率≤280KW，平均功率≤70KW；
	設(shè)備尺寸	7400mm（不含真空泵）×2110mm×3530mm（L×W×H）；
成膜質(zhì)量參數(shù)	成膜均勻性	片內(nèi)≤4％、片間≤3％、批間≤3％（膜厚80～120nm）；
成膜質(zhì)量參數(shù)	折射率均勻性	片內(nèi)≤1.5％、片間≤1.5％、批間≤1.5％（折射率2～2.2）；
溫控系統(tǒng)參數(shù)	恒溫區(qū)長度及精度	≤±1℃/1600mm （450℃時）；
	溫度控制范圍	200～580℃；
	溫度控制方式	五段雙回路溫度控制；
真空系統(tǒng)參數(shù)	壓力控制	高精度VAT閥控制，控壓范圍220±40Pa；
石墨舟傳輸系統(tǒng)參數(shù)	石墨舟上料方式	全自動機(jī)械手上下舟，在線式/離線式對接插片機(jī)可選；
控制系統(tǒng)參數(shù)	推舟機(jī)構(gòu)	水平速度1~12000mm/min可調(diào)，垂直速度1~150mm/min可調(diào)，承重≥40KG；
控制系統(tǒng)參數(shù)	控制方式	高性能工控計算機(jī)全自動控制工藝過程，并對工藝參數(shù)和工藝流程實時監(jiān)控；
基本參數(shù)	在線時間	≥98%；
	設(shè)備功率	峰值功率≤280KW，平均功率≤70KW；
	設(shè)備尺寸	7400mm（不含真空泵）×2110mm×3530mm（L×W×H）；

產(chǎn)品咨詢

M82200-10UM型PECVD 鍍膜設(shè)備

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M82200-10UM型PECVD 鍍膜設(shè)備 - 97

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