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產品簡介

  HSE200/230設備是針對MEMS及先進封裝領域開發(fā)的深硅刻蝕設備，主要用于8英寸及以下MEMS刻蝕，以及8-12英寸先進封裝硅刻蝕。設備針對研發(fā)/中試線/量產領域可以靈活配置平臺方式。HSE200/230采用雙等離子源設計，能夠實現(xiàn)先進封裝領域硅材料高速、高產能的需求，同時保證200mm/300mm晶圓的均勻性控制。同時采用脈沖偏壓設計，保證TSV高深寬比及優(yōu)異的形貌控制。目前HSE 200/230已在客戶現(xiàn)場大規(guī)模使用，設備穩(wěn)定性、重復性、產品生產良率等均滿足用戶需求。