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面議
941
儀器簡介:
全球?qū)I(yè)的沉積設(shè)備制造商,為各個(gè)領(lǐng)域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案:電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機(jī)分子束沉積OMBD
磁控濺射系統(tǒng):
1.靜態(tài)濺射系統(tǒng)(Static Sputtering System)
2.磁控共濺鍍系統(tǒng)(Co-Sputtering System)
3.反應(yīng)射頻磁控濺射系統(tǒng)(Reactive Sputtering System)
4.Rotating Planarity Sputtering System
5.Rotating Drum Sputtering System
6.Cluster Tool Sputtering System
7.在線濺射系統(tǒng)(In-line Sputtering System)
技術(shù)參數(shù):
1.磁控濺射槍和電源:
?圓形濺射槍
--濺射槍:1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 13 inch
--超高真空濺射槍:1, 2, 3, 4 inch
?永磁體:NdFeB
--固定磁體:薄膜均勻性<±3.0 %
--移動(dòng)磁體:薄膜均勻性<±1.5 %
?陰極:OFHC Copper
?矩形濺射槍
--寬:1,5 to 4 inch (to 10 inch for double erosion)
--長度:5 to 25 inch (to 120 inch for large planar area deposition)
--永磁體:NdFeB
--陰極:OFHC Copper
?電源
?直流電源:1 to 20 kW
?中頻電源: 1 to 20 kW
?射頻電源:0.3 to 15 kW
2.薄膜沉積控制:
?IC-5 and PC Control
--沉積參數(shù)控制
--石英晶體振蕩傳感器-Single, dual or six sensor
?膜厚監(jiān)控和沉積過程計(jì)算機(jī)控制
?膜厚監(jiān)控和沉積速率計(jì)算機(jī)控制
?大面積沉積(如 ITO上沉積LCD)
?可升級為在線磁控濺射系統(tǒng)
?基底尺寸:20 up to 120 inch
?質(zhì)量流量和自動(dòng)壓力控制
--質(zhì)量流量控制器:多種氣體控制
?Baratron真空規(guī):用于等離子體處理
?節(jié)流閥和控制器
3.真空室:
?圓柱形腔體
--直徑: φ300 ~ 2,000 (Substrate : 2 to 12 inch, 1 to 400 sheets)
--高度: 500 mm
?方形腔體
?根據(jù)客戶需求定制
?帶自動(dòng)樣品遞送裝置的Loadlock樣品加載室
4.真空泵和測量裝置:
?低真空:干泵和convectron真空規(guī)
?高真空:渦輪分子泵,低溫泵和離子規(guī)
5.控制系統(tǒng):
?硬件:PLC和計(jì)算機(jī)觸摸屏控制
?自動(dòng)和手動(dòng)沉積控制
主要特點(diǎn):
?射頻電源:基底預(yù)先清洗和等離子體輔助沉積
?溫度控制器:基底加熱
?大面積基底傳送裝置
?冷卻系統(tǒng)
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
HSE系列等離子刻蝕機(jī)