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脈沖激光沉積設(shè)備—PLD-400
面議
致真精密
脈沖激光沉積設(shè)備—PLD-400
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脈沖激光沉積設(shè)備是高校和科研院所常用的氧化物和多組分薄膜沉積設(shè)備,該設(shè)備具有簡(jiǎn)單可靠、運(yùn)行穩(wěn)定的特點(diǎn)。PLD-400型脈沖激光沉積設(shè)備,標(biāo)配6個(gè)1inch靶材,靶材可以原位更換,配合RHEED和準(zhǔn)分子激光器可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜的沉積。
性能參數(shù)
晶圓尺寸 | 2inch |
極限真空 | 5×10-9mbar |
溫控 | RT-1200℃ |
靶臺(tái)數(shù)量 | 6個(gè)1inch 靶材或3個(gè)2inch靶材 靶臺(tái)公自轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)(可單獨(dú)旋轉(zhuǎn)) |
靶材更換 | 原位更換靶材 |
激光源 | 準(zhǔn)分子激光器 |
常用材料 | BFO、SRO、VO2等 |
占地面積 | 3m L*2m W*2m H |
可選 | 自動(dòng)傳輸、反應(yīng)沉積、膜厚儀、工藝菜單、高壓RHEED等 |
觀察窗擋板
傾斜式高溫樣品臺(tái)
蒸發(fā)源
圓形互聯(lián)設(shè)備(外置機(jī)械臂、內(nèi)置機(jī)械臂)
兩個(gè)鍍膜系統(tǒng)直接互聯(lián)設(shè)備
超高真空管道傳輸設(shè)備
晶圓真空傳輸平臺(tái)—VTM
量產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-200
生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-100-UHV
生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-100-HV
量產(chǎn)級(jí)多功能薄膜沉積設(shè)備
分子束外延設(shè)備—MBE-400
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
HSE系列等離子刻蝕機(jī)